特許
J-GLOBAL ID：201103004000080372

半導体装置の自己整列コンタクトパッド形成方法

発明者：
李 宰求

李 宰求 について

, 
趙 昶賢

趙 昶賢 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324586
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208629
特許番号：特許第4302839号
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置の自己整列コンタクトパッド形成方法において、 半導体基板上に複数のゲート構造を形成し、各々のゲート電極構造は、ゲート電極層、ゲートキャッピング層、ゲート両側壁スペーサで構成され、前記ゲート電極構造の間の空間は半導体基板に向かってその断面積が小さくなるように構成される段階と、 前記ゲート電極構造の間の空間を完全に充填するため、前記基板と前記ゲート電極構造上に絶縁層を形成する段階と、 コンタクトパッド形成マスクを使用して前記絶縁層をエッチングして、前記ゲート電極構造間に位置する前記基板のコンタクト領域を同時に露出させるオープニングを形成する段階と、 導電物質を前記オープニングに充填する段階と、 前記導電物質と前記絶縁層のエッチング選択比が前記キャッピング層よりも大きくなる条件で、前記キャッピング層の上面が露出されるときまで、前記導電物質と前記絶縁層をエッチバックした後、前記キャッピング層のエッチング選択比が前記導電物質と前記絶縁層よりも大きくなる条件で、前記ゲートキャッピング層の上部の一部をエッチングすることによって、前記コンタクト領域に電気的に連結され、互いに電気的に絶縁された、複数のコンタクトパッドを形成する段階を備えていることを特徴とする半導体装置の自己整列コンタクトパッド形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 671 Z
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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