半導体装置の自己整列コンタクト形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001358
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251557
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】自己整列コンタクトの形成工程の再現性を向上させる。【解決手段】トランジスタを含む半導体基板100全面に物質層106を形成し、その上に平坦な上部表面を有する層間絶縁膜108が形成し、その上にT字形のオープン領域を有するマスクパターン110が形成される。これを使用してゲートスペーサ105間の活性領域101の上部表面が露出されるまで層間絶縁膜108及び物質層106をエッチングする。オープン領域111が導電層で充填された後、平坦化エッチング工程でゲートマスクの上部表面が露出される時まで層間絶縁膜108及び導電層がエッチングされてコンタクトパッド112aが形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、活性領域と非活性領域を定義して前記半導体基板内に形成された素子隔離膜と、半導体基板上に形成されたゲート電極、ゲートマスク、そしてゲートスペーサを有するトランジスタを含む半導体装置の自己整列コンタクト形成方法において、前記トランジスタを含む半導体基板全面に物質層を形成する段階と、前記物質層上に平坦な上部表面を有する層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上に非活性領域の一部と活性領域が露出されるようにマスクパターンをT字形のオープン領域を有するように形成する段階と、前記マスクパターンを使用して前記ゲートスペーサ間の半導体基板上部表面が露出される時まで層間絶縁膜及び物質層を順にエッチングする段階と、前記マスクパターンを除去する段階と、前記オープン領域が完全に充填される時まで層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、前記ゲートマスクの上部表面が露出される時まで前記導電層及び層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも二つ以上のコンタクトパッドを形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/10 681 B , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-262633 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059867 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-043427 出願人：三菱電機株式会社

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