特許

J-GLOBAL ID：201103004234359320

絶縁ゲート型半導体装置

発明者： 白井 浩司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306053
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127287
特許番号：特許第4175750号
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 支持基板、及びこの支持基板上に第1の絶縁膜により支持基板と分離された状態で形成された第1導電型の半導体層を有する半導体基板と、 この半導体基板の前記半導体層が前記第1の絶縁膜に達する素子分離領域により囲まれて周囲から絶縁分離されて形成された第1導電型のドレイン層と、 このドレイン層の表面に形成された第2導電型のベース層と、 前記ドレイン層の表面に前記ベース層から離れて形成された第1導電型のドレイン・コンタクト層と、 前記ベース層の表面に選択的に形成された第1導電型のソース層と、 前記ベース層の前記素子分離領域に近い側の周縁表面をチャネル領域として、このチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ソース層とベース層にコンタクトするソース電極と、 を有し、 前記ベース層、ソース層及びゲート電極は、前記ドレイン・コンタクト層を取り囲んでリング状に形成されている ことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 29/78 616 S

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-151070
  
• 高耐圧半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-040682   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-043447   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (3件)

• 特開平2-151070
  
• 高耐圧半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-040682   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-043447   出願人：株式会社デンソー