特許
J-GLOBAL ID：201103005041317081
化合物半導体層の評価用サンプル作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平山 一幸
, 海津 保三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235225
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050666
特許番号：特許第4501127号
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 GaAs層又はAlxGa1-xAs(0<x≦0.3)層から成る層と、AlyGa1-yAs(y≧0.4)から成る層とが順次積層されて複数の層を有する化合物半導体デバイスにおいて、評価を行なうべき層を露出させるための評価用サンプルを作製する方法であって、
上記GaAs層又はAlxGa1-xAs(0<x≦0.3)層を除去するために、アンモニア水(29重量%)、過酸化水素水(30重量%)、及び水を、0.5〜2:3.5〜4.5:4〜6の容量割合で混合して成るエッチング液を使用し、
上記GaAs層又はAlxGa1-xAs(0<x≦0.3)層を除去した後には、上記AlyGa1-yAs(y≧0.4)層の表面に生成された酸化膜を、塩酸(36重量%)が、0.5〜1.5:水が2.5〜3の容量割合で混合されて成る塩酸エッチング液により除去し、
上記AlyGa1-yAs(y≧0.4)層を除去するために、フッ酸(47重量%)、硝酸(61重量%)及び水を、4〜7:0.5〜2:5〜7の容量割合で混合して成るエッチング液を使用し、
上記評価を行なうべき層の上に位置する層を上方から順次エッチング除去することを特徴とする、化合物半導体層の評価用サンプル作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 1/32 ( 200 6.01)
, G01N 33/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
H01L 21/66 N
, G01N 1/32 B
, G01N 33/00 A
, H01L 21/306 B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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