特許
J-GLOBAL ID：200903049677717593
半導体レーザ装置およびその評価方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226564
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【構成】 GaAs基板1上に、n型AlGaAs下クラッド層2、AlGaAsまたはGaAs活性層3、p型AlGaAs上クラッド層4を順次形成したDH構造を有する半導体レーザ装置において、レーザパルス光8を評価部分の活性層3に入射し、該活性層からのバンド端のPL光強度の減衰時定数を求めてこれよりフォトキャリアのライフタイムを求めることにより、該半導体レーザ装置のしきい電流密度Jthを評価する。【効果】 結晶成長後の簡単なエッチングだけでしきい電流密度の評価ができ、手間と時間をかけることなく、フィードバックを迅速にかけることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型のAlGaAs下クラッド層、AlGaAsまたはGaAs活性層、及び第2導電型のAlGaAs上クラッド層を順次形成してなるダブルヘテロ構造を有し、上記AlGaAs下クラッド層中,および上記AlGaAs上クラッド層中に含まれる酸素原子の濃度が、1×1017cm-3以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/66
, H01L 33/00
審査官引用 (16件)
-
特開平3-253088
-
半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-234766
出願人：株式会社東芝
-
特開昭63-312649
全件表示
前のページに戻る
