特許
J-GLOBAL ID：201103005292204391
光半導体材料
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-187733
公開番号（公開出願番号）：特開平3-051813
特許番号：特許第2540949号
出願日： 1989年07月19日
公開日（公表日）： 1991年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】In,AlおよびAsを必須の構成元素とし常温での禁制帯幅がE1(eV)であるInGaAlAs混晶からなる第1の半導体薄膜と、In,AlおよびAsを必須の構成元素とし常温での禁制帯幅E2(eV)が前記第1の半導体薄膜の禁制帯幅E1(eV)より大きいInGaAlAs混晶からなる第2の半導体薄膜と、InおよびPを必須の構成元素として室温での禁制帯幅がE3(eV)であるInGaAsP混晶からなる第3の半導体薄膜とにより構成される3層の半導体薄膜を前記半導体薄膜のいずれよりも大きい禁制帯幅をもつ半導体薄膜で挟んだ多重量子井戸構造を有し、前記E1とE2とE3が(0.7E1-0.4E3-0.225)<0、かつ、(0.7E2-0.4E3-0.225)×(0.3E2-0.6E3+0.225)<0なる条件を満たしていることを特徴とする光半導体材料。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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