特許
J-GLOBAL ID：201103005306919992
エレクトレット及びその製造方法並びにエレクトレットを備える静電誘導型変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
在原 元司
, 清水 昇
, 竹居 信利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-237419
公開番号（公開出願番号）：特開2011-087384
出願日： 2009年10月14日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：
【課題】基材表面に対して垂直に形成され,微少な間隙を介して対向配置されたエレクトレット及びその製造方法並びにエレクトレットを備える静電誘導型変換素子を提供する。【解決手段】単一の基材10から形成され、間隔gの間隙を介して対向配置された基材10の表面に垂直な加工面には絶縁材料層12が形成されている。また、二つの基材10は絶縁材料層12が形成された面に略平行に移動可能に保持されている。ここで、上記間隙の一つの開口から軟X線照射装置16により軟X線を照射し、間隙中に存在する酸素、窒素等の空気中の成分をイオン化し、発生した正イオンと負イオンとを、上記基材10の間にバイアス電圧源18により印加したバイアス電圧により、基材10の表面に形成された絶縁材料層12に引き寄せ、絶縁材料層12の表面付近に注入してエレクトレットを形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
単一の基材に形成され、所定の間隔以内の間隙を介して対向する、前記基材の表面に垂直な対向面と、
前記対向面に形成された絶縁材料層と、
前記絶縁材料層の表面付近に注入された電荷と、
を備え、
前記間隙の深さをh、前記間隙の間隔をg、前記対向する面に直交する方向における前記基材の幅をWとすると、g≦200μm、h>2g、W≧h、であることを特徴とするエレクトレット。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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