特許

J-GLOBAL ID：201103005361980196

薄膜の積層

発明者： クリスチャン ラング ,  ヤン ジャン ジェームス フアン ,  トーマス ハインツ ヘルムット アルデバウマー ,  ステファン ディ ,  ジョナサン ヘファーナン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-500784
公開番号（公開出願番号）：特表2011-527096
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：

薄膜を成長させる方法であって、表面から伸びる構造体を有する基板上に、少なくとも1つの層をコンフォーマルに形成させることによって薄膜を成長させる工程であり、1つあるコンフォーマル層または各コンフォーマル層が、上記基板の上記表面上および上記表面から伸びる上記構造体上に形成される、工程を含む。1つある上記コンフォーマル層の厚さ、または複数の上記コンフォーマル層の厚さの合計は、上記構造体の平均間隔の少なくとも半分である。上記構造体の長さ、上記構造体の平均間隔および上記構造体の最も寸法が小さいところの大きさのうち少なくとも1つは、1つある上記コンフォーマル層または上記各コンフォーマル層の成長速度が増強されるように設計されている。

請求項（抜粋）：

薄膜を成長させる方法において、 表面から伸びる構造体を有する基板上に、少なくとも1つの層をコンフォーマルに形成させることによって薄膜を成長させる工程であって、1つあるコンフォーマル層または各コンフォーマル層が、上記基板の上記表面上および上記表面から伸びる上記構造体上に形成される、工程を含み、 1つある上記コンフォーマル層の厚さ、または複数の上記コンフォーマル層の厚さの合計は、上記構造体どうしの平均間隔の少なくとも半分であり、 上記構造体の長さ、上記構造体どうしの平均間隔、および上記構造体の最も寸法が小さいところの大きさ、のうち少なくとも1つは、1つある上記コンフォーマル層または上記各コンフォーマル層の成長速度が増強されるように設計されていることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 M

Fターム (7件)：

5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AF11 ,  5F045BB02 ,  5F045DA55 ,  5F151GA11 ,  5F151HA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 非晶質-結晶質タンデムナノ構造化太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-296185   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 単一コンフォーマル接合のナノワイヤ光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-217729   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ