特許

J-GLOBAL ID：201103005972714815

ケイ素含有膜を調製するための方法

発明者： リュ ヤン ,  マンチャオ シャオ ,  ハン ビン ,  カーク エス.カットヒル ,  マーク エル.オーニール
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-022459
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171730
出願日： 2011年02月04日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】ケイ素含有膜を調製するための方法を提供する。【解決手段】ケイ素、酸化物そして任意選択で窒素、炭素、水素およびホウ素を含む誘電体膜を形成する方法が提供される。さらに、例えば半導体ウェハーなどの加工対象物の上に誘電体膜またはコーティングを形成するための方法が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応チャンバ内に基材の少なくとも1つの表面を提供するステップと、 前記反応チャンバ内に以下の式I、IIおよびIII

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/42

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  C23C16/42

Fターム (24件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA35 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-003910   出願人：株式会社日立国際電気