特許

J-GLOBAL ID：201103006180285336

フィールド形成領域を有する半導体構成素子

発明者： ハインリヒ ブルナー ,  イェネ ティハニー ,  フランツ アウアーバッハ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571497
特許番号：特許第3853595号
出願日： 1999年09月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 5×1013電荷キャリアcm-3を上回るドーピング濃度を示す第1の導電型の半導体部(1)を備え、かつ2つの相互に反対側の面にそれぞれ少なくとも1つの電極(E、C)が設けられており、その際、電極(E)の少なくとも1つは、第1の導電型とは反対の第2の導電型の半導体ゾーン(12)と接続している半導体構成素子において、半導体部(1)中に第2の導電型のゾーン(4)に対して間隔を置いて第2の導電型のゾーン(4)をウェル状に取り囲みかつそれぞれ少なくとも1箇所で第1の導電型の通路(8)により中断された第2の導電型の領域(7)が配置されており、かつ第2の導電型の領域(7)は、第2の導電型のゾーン(4)と半導体部(1)との間に形成されるpn接合の遮断時に電荷キャリアに関して完全には空乏化されない程度に高くドープされている半導体構成素子。

IPC (3件)：

H01L 29/744 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/74 C ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 654 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293966   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293966   出願人：株式会社東芝