バンプ電極を有する半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下義治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222847
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053100
特許番号：特許第4021104号
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】バンプ電極を有する半導体装置であって、前記バンプ電極は保護膜開口部の周囲に広がっており、前記バンプ電極と前記バンプ電極の下の所望の領域に設けられた金属配線との電気的接触のために設けられた前記保護膜開口部以外の前記バンプ電極の下の領域において保護膜は凹凸を有して配置され、前記保護膜に前記凹凸がない場合と比べ前記バンプ電極と半導体装置基板間の接触面積が増大した構造を持つ半導体装置。

IPC (1件)：