発光ダイオードおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187604
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015810
特許番号：特許第3533995号
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ZnSe基板と、前記ZnSe基板上に形成され、劈開面を有し、該劈開面近傍に欠陥が存在し、内部に半導体層を含む発光構造と、前記劈開面および前記半導体層に達するように前記発光構造の上面周縁部に設けられた溝部と、前記溝部上に形成され、前記半導体層とオーミック接触が得られない材料からなり前記半導体層と接する下層部を有し、注入電流を制限する第1電極と、前記発光構造上に形成され、前記発光構造とオーミック接触が得られる材料からなり注入電流を拡散させる第2電極と、前記ZnSe基板の裏面上に形成された裏面電極とを備えた、発光ダイオード。

IPC (1件)：