特許
J-GLOBAL ID：201103006744346390
配線マスクパターンデータ作成方法及び装置、並びに該パターンデータ作成プログラムを記録した記録媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065695
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258893
特許番号：特許第3425884号
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下層の配線又は電極と上層の配線又は電極とを接続するためのコンタクトが、前記下層又は上層の配線の終端部又は角部の領域に形成されるとき、当該配線の終端部又は角部が光学的近接効果によりやせ細って形成される分を見込んで、当該配線の終端部又は角部に相当する配線図形の終端部又は角部に補正図形を隣接付加することで当該配線図形の終端部又は角部を予め膨らませる処理を行った結果、隣接付加された当該補正図形の任意の一辺と前記配線図形の任意の一辺とがスペーシング規則違反して相対向することとなったとき、当該スペーシング規則違反する間隔を埋め図形で埋める処理を含む配線マスクパターンデータ作成方法であって、まず、記憶装置に記憶されている前記配線図形及びコンタクト図形を読み込んで、読み込まれた配線図形の終端部又は角部を検索して、当該配線図形に前記補正図形を付加すべき補正図形付加場所を決定し、決定された補正図形付加場所を前記記憶装置に記憶した後、該記憶装置から、前記配線図形、コンタクト図形及び補正図形付加場所を読み込み、コンタクト図形を基準にして検索枠内の配線図形を集め、補正図形付加場所毎に補正図形を作成し、作成した補正図形と配線図形とからこれらの図形を含んで構成される新たな配線図形を作成し、該新たな配線図形と前記検索枠内の配線図形とから前記補正図形付加前の配線図形への補正図形の付加で発生した間隔を検索して当該間隔を埋める埋め図形を作成し、補正図形付加前の前記配線図形への補正図形及び前記埋め図形の付加で隣接する他の配線図形との間の距離がスペーシング規則で決められている基準値を満たしているか否かを検索し、検索の結果、前記基準値を満たしていないとき、前記補正図形及び埋め図形の前記他の配線図形と対向する辺を前記基準値を満たす値の距離だけ前記他の配線図形から移させて、配線図形を修正することを特徴とする配線マスクパターンデータ作成方法。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G06F 17/50
, H01L 21/027
, H01L 21/82
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/82 C
, G06F 15/60 658 M
