タンデム型太陽電池

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-063684
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198975
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】シリコンを用いたタンデム構造型太陽電池でより高い光電変換効率が得られるようにする。【解決手段】第1半導体層103の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第1導電形の第2半導体層104と、第2半導体層104の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第2導電形の第3半導体層105と、第3半導体層105の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第1導電形の第4半導体層106と、第4半導体層106の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第2導電形の第5半導体層107とを少なくとも備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電形の第1シリコン層と、この第1シリコン層の上に形成された第2導電形の第2シリコン層と、この第2シリコン層の上に形成されたAlNからなる第1半導体層と、この第1半導体層の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第1導電形の第2半導体層と、この第2半導体層の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第2導電形の第3半導体層と、この第3半導体層の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第1導電形の第4半導体層と、この第4半導体層の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第2導電形の第5半導体層とを少なくとも備えることを特徴とするタンデム型太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 Y , H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F151AA02 , 5F151AA08 , 5F151CB09 , 5F151CB12 , 5F151DA03 , 5F151DA16 , 5F151DA20

引用文献：

審査官引用 (2件)

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