特許
J-GLOBAL ID:201103007109740517
半導体装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 手島 勝
, 藤田 篤史
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-087091
公開番号(公開出願番号):特開2001-313341
特許番号:特許第4146619号
出願日: 2001年03月26日
公開日(公表日): 2001年11月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 チップ形状の半導体基板と、
上記半導体基板に設けられ、互いにほぼ同じ電気的特性を有するとともにエミッタ領域が発熱部となる2つのパワー縦型バイポーラトランジスタと、
上記2つのパワー縦型バイポーラトランジスタを互いに電気的に分離する分離帯とを備え、
上記2つのパワー縦型バイポーラトランジスタの各エミッタ領域における発熱部は、上記チップ形状の対角部に配設されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 21/8222 ( 200 6.01)
, H01L 27/082 ( 200 6.01)
, H01L 21/331 ( 200 6.01)
, H01L 29/732 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 27/08 101 B
, H01L 29/72 P
, H01L 29/78 652 R
引用特許:
出願人引用 (4件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-211588
出願人:松下電子工業株式会社
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特開昭64-037856
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特開昭62-179140
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特開昭56-111255
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審査官引用 (4件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-211588
出願人:松下電子工業株式会社
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特開昭64-037856
-
特開昭62-179140
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