半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-043107
公開番号（公開出願番号）：特開平4-280490
特許番号：特許第2943359号
出願日： 1991年03月08日
公開日（公表日）： 1992年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】バンドギャップが発振光のエネルギーよりも20〜100meV高エネルギーの半導体層を導波層とし、活性層の一端に前記導波層を接続し、前記活性層及び導波層の上下にガイド層を備え、前記導波層の上部または下部に回折格子を備え、前記活性層に電流を注入する手段から電気的に分離されて前記導波層に電界を印する手段を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 642 , H01S 3/18 694

FI (2件)：

H01S 3/18 642 , H01S 3/18 694

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