特許
J-GLOBAL ID：201103007152727524
バルク状Si-C-N系セラミックス材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274417
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089240
特許番号：特許第4330218号
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 アモルファス相を主相とするか、または、結晶粒径もしくは析出相の平均粒径が100nm以下の微細多結晶組織を有する、見掛け密度が2.32g/cm3以上のバルク状Si-C-N系セラミックス材料の製造方法であって、Si、CおよびNを含む高分子プレカーサーの粉末を焼成した後、その粉末を100μm以下に篩い分け、次いでバルク状に成形し、さらに1000°C以上の温度で、250MPa以上の圧力または応力を加えることにより緻密化することを特徴とするバルク状Si-C-N系セラミックス材料の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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