特許
J-GLOBAL ID：201103007444703022
光学活性スレオ-3-アミノ-1,2-エポキシ体の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐伯 憲生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-529323
特許番号：特許第4250335号
出願日： 1999年01月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】式(1)
(式中のR1は炭素数3〜12の炭化水素残基、R2は置換又は非置換の低級アルカノイル基、置換又は非置換の低級アルコキシカルボニル基、若しくは置換又は非置換の低級アラルキルオキシカルボニル基で保護されたアミノ基、*3の立体配置がS配置の時、*2の立体配置はR配置、*3の立体配置がR配置の時、*2の立体配置はS配置を示す。)
で表される光学活性スレオ-3-アミノ-1,2-ジオール誘導体をエーテル系溶媒又はエステル系溶媒中、塩基の存在下でアルキルスルホニルハロゲン化合物又はアリールスルホニルハロゲン化合物を反応させ、スルホニル化することにより、式(2)
(式中のR1、R2、*2、*3は前記と同じ意味を示し、R3は炭素数1〜12の炭化水素残基を示す。)
で表される光学活性スレオ-3-アミノ-2-ヒドロキシスルホネート誘導体を位置選択的に得、これを有機層から単離することなく、さらに塩基の存在下でエポキシ化することを特徴とする式(3)
(式中のR1、R2、*2、*3は前記と同じ意味を示す。)で表される光学活性スレオ-3-アミノ-1,2-エポキシ体の製造法。
IPC (3件)：
C07D 301/02 ( 200 6.01)
, C07B 53/00 ( 200 6.01)
, C07D 303/36 ( 200 6.01)
C07D 301/02
, C07B 53/00 C
, C07D 303/36
