受光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：池内寛幸 , 佐藤公博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148503
特許番号：特許第3621314号
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第2導電型の半導体層と、前記半導体層の表面の所定領域を囲み、前記表面から前記半導体基板に達するように形成された第1導電型の分離層とを含む受光装置であって、前記半導体層の表面に、前記分離層から離間するように前記所定領域に形成された複数の第1導電型の第1表面拡散層と、この複数の第1表面拡散層の間に配置され、前記半導体層よりも高濃度の不純物を有する第2導電型の第2表面拡散層と、前記複数の第1表面拡散層を囲み、かつ前記第2表面拡散層と接して配置され、前記半導体層よりも高濃度の不純物を有する第2導電型の第3表面拡散層と、前記半導体基板と前記半導体層との間に前記半導体層よりも高濃度の不純物を有する第2導電型の埋め込み層とが形成され、前記第3表面拡散層は、前記半導体層の表面から前記埋め込み層に達するように形成され、前記第2表面拡散層が、第1表面拡散層よりも、半導体層の表面から深い位置にまで形成され、前記分離層が接地され、第1表面拡散層がアノード電極に接続され、前記第3表面拡散層がカソード電極に接続され、前記アノード電極と前記カソード電極との間に逆バイアス電圧が印加され、前記アノード電極を増幅手段に接続され、前記カソード電極と前記アノード電極の配線は積層して形成され、前記カソード電極は下層に位置されており、前記カソード電極が、第1表面拡散層を囲み、かつ空乏層の少なくとも一部の上方から分離層の少なくとも一部の上方までを覆うように配置されていることを特徴とする受光装置。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭62-202567
特開昭62-202567
特開昭62-202567

全件表示

前のページに戻る