特許

J-GLOBAL ID：201103007828561268

静電チャックを備えた基板ホルダを用いた基板温度制御方法

発明者： 田中 洋
出願人/特許権者： キヤノンアネルバ株式会社
代理人 (2件)： 岩田 今日文 ,  瀬戸 さより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-238032
公開番号（公開出願番号）：特開2011-084770
出願日： 2009年10月15日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：

【課題】200〜500°Cの温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板温度制御を提供する。【解決手段】本発明の基板ホルダを用いた基板温度制御方法は、(1)基板のプロセス開始前に、静電チャック3上の基板10を第1の設定温度まで昇温させる第1の行程と、(2)基板10のプロセス開始時に、静電チャック3上の基板10を第1の設定温度より高い第2の設定温度まで昇温させる第2の行程と、(3)基板10のプロセス中に、第2の設定温度まで加熱された基板10を第1の設定温度まで降温させる第3の行程と、(4)基板10のプロセス終了まで、基板10を第1の設定温度に維持する第4の行程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ホルダ本体の基板保持側に設けられ、基板を静電吸着する静電チャックと、 前記静電チャックに内蔵され、基板を加熱する加熱手段と、 前記ホルダ本体の内部に形成され、循環媒体を循環供給する循環媒体供給手段に接続された循環媒体流通経路と、 前記ホルダ本体と前記静電チャックとの隙間に伝熱ガスを封止して形成され、封止圧力を調整可能な伝熱ガス供給系に接続された熱伝達能可変手段と、前記静電チャックと前記基板との隙間に伝熱ガスを封止して形成され、伝熱ガス供給系に接続されたガス封止手段と、 を備えた基板ホルダを用いた基板温度制御方法であって、 (1)基板のプロセス開始前に、前記ホルダ本体と前記静電チャックとの隙間へ伝熱ガスの供給を供給せずに、前記加熱手段を第1の加熱パワーに調整しながら、前記加熱手段のみにより前記静電チャック上の基板を第1の設定温度まで昇温させる第1の行程と (2)基板のプロセス開始時に、前記加熱手段による基板の加熱を停止し、プラズマからの入熱のみにより、静電チャック上の基板を前記第1の設定温度より高い第2の設定温度まで昇温させる第2の行程と、 (3)基板のプロセス中に、前記ホルダ本体と前記静電チャックとの隙間に伝熱ガスを供給し、前記熱伝達能可変手段により前記伝熱ガスの封止圧力を第1の圧力に維持し、前記第2の設定温度まで加熱された基板を第1の設定温度まで降温させる第3の行程と、 (4)基板のプロセス終了まで、前記伝熱ガスの封止圧力が第1の圧力で一定になるように、前記熱伝達能可変手段を調整すると共に、前記加熱手段を第1の加熱パワーより高い第2の加熱パワーに調整しながら、前記基板を第1の設定温度に維持する第4の行程と、 を含むことを特徴とした基板ホルダを用いた基板温度制御方法。

IPC (4件)：

C23C 14/50 ,  H01L 21/683 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

C23C14/50 E ,  H01L21/68 R ,  H01L21/302 101R ,  H01L21/302 101G ,  H01L21/203

Fターム (24件)：

4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029JA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BD01 ,  5F004BD05 ,  5F004CA04 ,  5F004CA08 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F103AA08 ,  5F103BB41 ,  5F103RR04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ウエハステージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049921   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• 載置台構造及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-168296   出願人：東京エレクトロン株式会社