特許

J-GLOBAL ID：201103007838949744

半導体レーザダイオード

発明者： 鴫原 君男
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一 ,  青山 葆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000362
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200940
特許番号：特許第4094756号
出願日： 1999年01月05日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に、下クラッド層と、上クラッドと、上記上クラッド層と上記下クラッド層との間に位置する活性層とを含む複数の半導体層が積層されてなり、該積層された半導体層においてそれぞれ上記上クラッド層の途中まで達しかつ一端から他端に至る2つの溝を形成することによりリッジ部を形成した半導体レーザダイオードであって、 上記リッジ部の一部又は全部を徐々に幅が狭くなるように形成し、上記リッジ部と上記溝とを形成することにより構成される活性領域の一部に、上記半導体レーザダイオードが発振するレーザ光の横モードの基本モードを伝播させかつ上記横モードの高次モードの伝播を阻止するカットオフ領域が形成されるように、上記リッジ部の形状と上記溝の形状とを設定しかつ、 上記レーザ光が伝播する共振器方向に垂直な任意の平面内において、上記リッジ部の上面の位置が上記溝の外側に位置する領域の上面の位置より高くなるようにしたことを特徴とする半導体レーザダイオード。

IPC (1件)：

H01S 5/22 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01S 5/22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-252466   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-100985
  

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-252466   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-100985