特許
J-GLOBAL ID：201103008749740986

半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者：
郷戸 宏充

郷戸 宏充 について

, 
村上 智史

村上 智史 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-073911
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228679
出願日： 2011年03月30日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が1.5μm以上100μm以下、好ましくは3μm以上10μm以下の範囲において、-25°C以上150°C以下の動作温度範囲で、チャネル幅が1μmあたりのオフ電流の値を1×10-12A以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、オフ電流の変動に起因する消費電力を低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を有し、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、 前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を有し、 前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、 前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する絶縁層を有し、 -25°C以上150°C以下の温度範囲において、チャネル幅が1μmあたりのオフ電流の値が1×10-12A以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/167 ,  G02F 1/17 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/10 ,  G09F 9/30
FI (12件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F1/17 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/08 ,  H05B33/10 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 618Z
Fターム (139件)：
2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA31 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA22 ,  2H092NA26 ,  2H092PA06 ,  2H092QA05 ,  2K101AA04 ,  2K101AA08 ,  2K101BA02 ,  2K101BA12 ,  2K101BC02 ,  2K101BD61 ,  2K101EC08 ,  2K101ED13 ,  2K101EE02 ,  2K101EJ22 ,  2K101EK35 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094DA13 ,  5C094FB02 ,  5C094FB05 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094JA04 ,  5C094JA08 ,  5C094JA20 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC06 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD17 ,  5F152CD23 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE22 ,  5F152CE25 ,  5F152CE28 ,  5F152CE45 ,  5F152EE16 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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