特許

J-GLOBAL ID：200903018950789320

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置

発明者： 川崎 雅司 ,  大野 英男 ,  小林 和樹 ,  迫野 郁夫
出願人/特許権者： 川崎 雅司 ,  大野 英男 ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274333
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086808
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 透明半導体膜を有する薄膜トランジスタにおいて、TFT特性を向上させる。【解決手段】 ゲート電極3上に、第1絶縁膜4aおよび第2絶縁膜4bを含むゲート絶縁膜4を形成し、第2絶縁膜4b上に、ZnOなどを用いた半導体層5を形成する。第1絶縁膜4aを絶縁性の高いSiNx などで形成する一方、第2絶縁膜4bを酸化物(例えば、SiO2 )によって形成する。この構造により、第2絶縁膜4bと界面を形成する半導体層5の結晶性の向上と、半導体層と第2絶縁膜との界面の欠陥準位の低減とを図ることができる。また、第2絶縁膜を酸化物で構成することで、第2絶縁膜の材料によって半導体層から酸素が奪われることを抑制できる。それゆえ、半導体層の第2絶縁膜との界面付近の結晶性が良好に保持される。この結果、オフ領域での漏れ電流レベルが低く、かつ移動度が高いスイッチング特性の良好な薄膜トランジスタが実現できる。

請求項（抜粋）：

ZnO、Mgx Zn1-x O、Cdx Zn1-x OまたはCdO、もしくは1価の価数を取りうる元素またはNiがドープされたZnO、Mgx Zn1-x O、Cdx Zn1-x OまたはCdOを用いた半導体層と、ゲート電極と界面を形成する酸化物以外の材料を用いた第1絶縁膜と、この第1絶縁膜および前記半導体層に挟まれ、双方と界面を形成する酸化物を用いた第2絶縁膜とを有するゲート絶縁膜とを備えていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368

FI (5件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B

Fターム (45件)：

2H092JA40 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092NA21 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-118683   出願人：シャープ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団