特許

J-GLOBAL ID：201103009352573567

FIB加工方法及びFIB加工位置の位置決め方法

発明者： 鈴木 直久 ,  田中 智子 ,  中渡瀬 宏 ,  山内 義隆
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181705
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015570
特許番号：特許第3672769号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 FIB画像では視認できない半導体サンプルの特定箇所をFIBにより断面加工する際の前記加工位置を決めるFIB加工位置の位置決め方法において、 前記半導体サンプルの特定箇所の直上を含む領域に形成された光を透過する縞状のデポジション膜と前記特定箇所との相対的な位置関係に基づいて、前記特定箇所の断面加工位置を決めることを特徴とするFIB加工位置の位置決め方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/31 ,  H01J 37/317

FI (5件)：

H01L 21/66 N ,  G01R 1/06 F ,  H01J 37/31 ,  H01J 37/317 D ,  G01R 31/28 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体単結晶中の結晶欠陥観察用試料作製方法および結晶欠陥観察方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357983   出願人：信越半導体株式会社