SiC単結晶の成長方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-560300
特許番号：特許第4574852号
出願日： 1999年07月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも1個の炭化ケイ素(SiC)単結晶をSiC原料物質(30)の昇華により成長させる方法において、 a)ケイ素(Si)、炭素(C)及びSiC種晶(40)を成長室(50)内に入れ、 b)SiC原料物質(30)を、ケイ素と炭素から合成する工程で製造し、 c)この合成工程後、直ちにSiC単結晶(60)を成長させ、その際 d)炭素として、粉粒の平均粒径が30μm以上、80μm以下のC粉末(20)を使用することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (2件)：