特許

J-GLOBAL ID：201103009671665300

不揮発性メモリトランジスタを有する半導体装置

発明者： 古畑 智之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-382396
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184878
特許番号：特許第3449354号
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体層と、前記半導体層上に、ゲート絶縁層としての第1の絶縁層を介在させて配置されたフローティングゲートと、前記フローティングゲートの少なくとも一部と接触し、トンネル絶縁層として機能しうる第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成されたコントロールゲートと、前記半導体層内に形成された、ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物拡散層と、を含み、前記フローティングゲートの上方において、導電層が設けられ、前記フローティングゲートの全体は、平面的にみて前記導電層と重なっており、前記フローティングゲートの形成領域以外の領域の上方における前記導電層の幅は、前記フローティングゲートの形成領域の上方における前記導電層の幅より狭い、不揮発性メモリトランジスタを有する、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 491 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/04 U ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081068   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172627   出願人：現代電子産業株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-229516   出願人：三洋電機株式会社