半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081068
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284151
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】配線構造を改良してメモリセルアレイ領域の信頼性向上を図った半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板10に、不揮発性メモリセルアレイと周辺回路素子を集積形成する。メモリセルアレイ領域及び周辺回路領域に同時に、層間絶縁膜16を介して第1層配線18を形成し、更に層間絶縁膜20を介して第2層配線21を形成する。更に層間絶縁膜30を堆積して平坦化した後、周辺回路領域にのみ第3層配線31を形成し、その後パシベーション膜50を堆積する。パシベーション膜50は、メモリセルアレイ領域では平坦になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板に集積形成された不揮発性メモリセルを配列したメモリセルアレイ及びメモリセル以外の回路素子と、このメモリセルアレイ及びメモリセル以外の回路素子の上に層間絶縁膜を介して形成され、前記メモリセルアレイの領域上における信号線の層数がm、メモリセル以外の回路素子の領域上における信号線の層数がn(但し、n>m)である多層配線とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 , H01L 27/10 461 , H01L 27/10 481 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 434 , H01L 27/10 461 , H01L 27/10 481 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-001544 出願人：ソニー株式会社
不揮発性記憶装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-123531 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-208337 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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