特許

J-GLOBAL ID：201103009701479085

低温焼成ガラスセラミックスとその製造方法

発明者： 枦山 一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327428
特許番号：特許第3166850号
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸化物換算にしてSiO210〜45重量%、CaO20〜50重量%、Al2O320〜45重量%、MgO0.1〜5重量%、SrO0.1〜5重量%、BaO0.1〜5重量%、TiO20.1〜5重量%、ZnO0.1〜5重量%、ZrO20.1〜5重量%、及び1A族元素酸化物0〜3重量%からなる組成を有するSiO2-CaO-Al2O3系ガラスであって、800〜1000°Cの焼成温度の焼成過程においてCaAl2SiO6、Ca3Si2O7(Rankinite)、CaSiO3(Wollastonite)、乃至はAl6Si2O13(Mullite)の結晶を析出して緻密化することを特徴とする低温焼成ガラスセラミックス。

IPC (3件)：

C04B 35/195 ,  C04B 35/622 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

C04B 35/18 B ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 T ,  C04B 35/00 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• アノーサイト-ゲーレナイト系低温焼結セラミックスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-340926   出願人：加藤悦朗, 小林雄一
• 特開平1-100060
  
• 多層ガラスセラミック基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-163786   出願人：日本電気株式会社