特許
J-GLOBAL ID：201103009706901850
トレンチ隔離部形成方法及びその構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108543
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330227
特許番号：特許第4573922号
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上にトレンチ形成領域を定めてトレンチマスクを形成する段階と、
前記トレンチマスクを使用して半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記トレンチ形成時発生された基板の損傷を除去するためトレンチの両側壁及び底に熱酸化膜を形成する段階と、
前記熱酸化膜上にトレンチの両側壁及び底の酸化を防止するための物質層を形成する段階と、
前記物質層上に物質層を保護するための絶縁膜を形成する段階と、
前記トレンチの両側壁及び底をプラズマ処理する段階と、
前記トレンチをトレンチ隔離物質で完全に充填する段階とを含んで、前記プラズマ処理工程はトレンチ隔離物質がトレンチの両側壁及び底に均一に形成されるようにすることを特徴とするトレンチ隔離部形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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