半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138348
特許番号：特許第3549186号
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも2種類の電源あるいは接地電位のいずれかをソースに印加されて動作する少なくとも1つのMOSFETがそれぞれ異なる複数の半導体層に形成されている半導体装置であって、少なくとも前記電源のいずれかが最初に投入されてから他の全ての電源が投入され安定するまでの所定期間に、前記半導体層のそれぞれの電位を前記半導体層の導電型に応じて、前記少なくとも2種類の電源のうち最も高い電源電位あるいは接地電位に固定する手段を含む電位制御部を備え、前記電位制御部には、クロックを出力する発振器と、前記電源のうち最初に投入されてから前記クロックのカウントを開始し、カウント値が最大値に到達したことを知らせる信号を出力するカウンタと、前記半導体層の電位を固定する手段を制御するための情報を保持・出力し、前記所定期間が経過して、前記カウンタから前記信号が入力されると前記情報が変化するデータ保持回路とを有する前記所定期間を計測するリセット回路が含まれることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/822 , G11C 11/408 , G11C 11/413 , H01L 27/04 , H03K 19/003

FI (4件)：

H01L 27/04 G , H03K 19/003 B , G11C 11/34 335 C , G11C 11/34 354 G

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-153621
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-169639 出願人：株式会社東芝
特開平2-185062

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審査官引用 (4件)

特開平2-153621
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-169639 出願人：株式会社東芝
特開平2-185062

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