特許
J-GLOBAL ID:201103010021293767

圧電体素子、及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邉 一平
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-286115
公開番号(公開出願番号):特開2002-100819
特許番号:特許第3512379号
出願日: 2000年09月20日
公開日(公表日): 2002年04月05日
請求項(抜粋):
【請求項1】 セラミックス基体と、PbMg1/3Nb2/3O3-PbZrO3-PbTiO3三成分固溶系組成物で、下記一般式(1)に示す組成物を主成分とし、NiOを全組成物中0.05〜10.0重量%含有する磁器組成物からなる圧電体と、前記圧電体に電気的に接続される電極とを備え、前記圧電体が、前記セラミックス基体に、直接又は前記電極を介して、1〜300μmの厚さで固着されてなることを特徴とする圧電体素子。;;化1::Pbx(Mgy/3Nb2/3)aTibZrcO3 ...(1)「式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.8≦y≦1.0であり、かつa,b,cが、(a,b,c)=(0.550,0.425,0.025),(0.550,0.325,0.125),(0.375,0.325,0.300),(0.100,0.425,0.475),(0.100,0.475,0.425),(0.375,0.425,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但し、a+b+c=1.00である。)。」
IPC (4件):
H01L 41/09 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22
FI (4件):
C04B 35/49 R ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 F ,  H01L 41/22 Z
引用特許:
審査官引用 (2件)

前のページに戻る