特許

J-GLOBAL ID：201103010494462027

半導体装置の製造方法及び微小突起の製造方法

発明者： 中嶋 健次 ,  兼近 将一 ,  光嶋 康一
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-294509
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188388
特許番号：特許第3624283号
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体材料基板又は半導体材料層の所定位置に不純物を導入して不純物析出領域を形成し、前記不純物析出領域をマイクロマスクとして前記材料基板又は前記材料層を高選択比異方性エッチングを行い、前記材料基板又は前記材料層のエッチング露出面にマイクロマスク部分を頂点とする錐体を形成する半導体装置の製造方法であり、前記高選択比異方性エッチングにおいて、用いる混合ガスの混合比を調整し、前記錐体のアスペクト比を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/06 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/66

FI (7件)：

H01L 29/06 601 B ,  H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01L 29/66 E ,  H01J 1/30 F ,  H01L 21/302 101

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界放出型陰極及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-262389   出願人：日本電気株式会社