特許

J-GLOBAL ID：201103011245211959

電子回路装置

発明者： 金塚 堂
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252406
特許番号：特許第3825196号
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】配線基板上に、頂点部の高さが異なるボンディングワイヤが接合された少なくとも2つのICベアチップを隣接配置するとともに、前記2つのICベアチップ及びボンディングワイヤを樹脂で被覆して成る電子回路装置において、 前記2つのICベアチップ間の配線基板領域に、第1のダミー用ボンディングワイヤを前記2つのICベアチップの配列方向を横切る方向に配設するとともに、頂点部の高いボンディングワイヤが接続されたICベアチップ外周の配線基板領域に、前記第1のダミー用ボンディングワイヤと直交する方向に一対の第2のダミー用ボンディングワイヤを配設して成り、かつ前記頂点部の高いボンディングワイヤの頂点部高さをH1、頂点部の低いボンディングワイヤの頂点部高さをH2、第1のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをH3 、第2のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをH4とした時、各々の高さがH4>H1であり、且つH4>H3>H2であることを特徴とする電子回路装置。

IPC (3件)：

H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 25/04 ( 200 6.01) ,  H01L 23/28 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 25/04 Z ,  H01L 23/28 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 回路基板及びその製造方法、並びに半導体装置のワイヤボンディング方法及び半導体装置の封止方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-132227   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社