特許

J-GLOBAL ID：201103011687255130

半導体ウェハの製造方法

発明者： 鈴木 一彦 ,  横田 晃一 ,  太田 秀樹 ,  三村 敏夫 ,  加藤 剛之 ,  金子 学 ,  柴 仁史
出願人/特許権者： SUMCO TECHXIV株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187653
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015458
特許番号：特許第4431215号
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウェハ(18)を複数積層して積層体(20)を形成する工程と、 前記積層体を前記半導体ウェハの積層方向に沿って挟持する工程と、 前記積層体を挟持した状態で、該積層体を構成する前記半導体ウェハをワイヤーソー(12)により分断する工程と を具備する半導体ウェハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B24B 27/06 ( 200 6.01) ,  B28D 5/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/304 611 W ,  B24B 27/06 D ,  B28D 5/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-237177   出願人：コマツ電子金属株式会社