特許

J-GLOBAL ID：201103012129266289

半導体ウェーハの片面エッチング方法およびその装置

発明者： 堤 幸雄 ,  樋口 勗 ,  村木 尚樹 ,  吉川 恒男
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181553
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015476
特許番号：特許第3159969号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 エッチング液の液面下からエッチング液を吹き出して液面を盛り上げ、この液面の盛り上がり部分に、半導体ウェーハの片面を接触させる半導体ウェーハの片面エッチング方法であって、上記半導体ウェーハの片面をエッチング液に接触させているとき、このエッチング液から気化した蒸気を、半導体ウェーハの片面とは反対側の面側に回り込ませ、この回り込んだ蒸気により、半導体ウェーハの外周部の他面側をエッチングするとともに、この半導体ウェーハの他面側に不活性ガスを吹き出すことにより、この蒸気の回り込み量を制御した半導体ウェーハの片面エッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/306 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭48-045178
  
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-167934   出願人：エム・セテック株式会社