特許
J-GLOBAL ID：201103012393724260
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101822
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330367
特許番号：特許第4180729号
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置の製造方法において、
反応チャンバーを加熱する段階と、
堆積されたポリシリコン膜からなるキャパシター電極を持つ半導体基板を前記反応チャンバー内にローディングする段階と、
前記反応チャンバーの内部温度が第1温度範囲内に安定化される前に、前記反応チャンバー内に微量の第1の反応ガスを注入して前記キャパシター電極上にシリコン膜を形成する段階と、
第2温度範囲内で、前記半導体基板を加熱する段階と、
前記内部温度が前記第1温度範囲に至る後、前記反応チャンバー内に前記第1の反応ガスより多くの量であって前記第1の反応ガスと同一種類の第2の反応ガスを注入して前記キャパシター電極上に複数のHSG核を形成する段階と、
前記半導体基板をアニーリングして複数のHSG核を成長して前記キャパシター電極上にHSG膜を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
