特許
J-GLOBAL ID：201103012497128171

固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
新屋敷 悠介

新屋敷 悠介 について

, 
中嶋 一明

中嶋 一明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (14件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  箱崎 幸雄 ,  出口 智也 ,  山ノ井 傑 ,  木本 大介 ,  重野 隆之 ,  平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-020999
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159848
出願日： 2010年02月02日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：
【課題】低屈折率であって暗電流を消滅させる層を比較的低温で形成が可能な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像装置1は、入射光を光電変換する受光部20が形成された半導体基板2と、受光部20の入射光が入射する面上に200°C以下で形成された有機化合物として、例えばフッ化ビニリデン系化合物からなる強誘電体層6と、強誘電体層6上に形成された透明電極7とを備え、透明電極7側に負、半導体基板2側に正となる電圧を印加することにより、強誘電体層6が強誘電体を発現する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
入射光を光電変換する受光部と、 前記受光部の前記入射光が入射する面上に形成された有機化合物からなる強誘電体層と、 前記強誘電体層上に形成された透明電極とを備えた固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L27/14 D ,  H01L27/14 A
Fターム (15件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA32 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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