特許
J-GLOBAL ID：201103012523973772

半導体集積回路

発明者：
梅沢 明

梅沢 明 について

, 
高野 芳徳

高野 芳徳 について

, 
丹沢 徹

丹沢 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140182
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319488
特許番号：特許第3866481号
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、 一方の入力端子を前記メモリセルアレイの選択されたビット線に接続されるセンスノードとし、他方の入力端子を基準電流源に接続される参照ノードとするオペアンプと、 前記センスノード及び参照ノードと電源端子の間に設けられた電流源負荷と、 前記センスノードとビット線との間及び前記参照ノードと基準電流源との間にそれぞれ介在させたクランプ用トランジスタと、 これらのクランプ用トランジスタのゲートにバイアス電圧を供給するバイアス回路と備え、 前記バイアス回路は、 電源投入により自動的に活性状態となり、 電源電圧及び温度に依存しない基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、この基準電圧発生回路から出力される基準電圧に定数を乗算して前記バイアス電圧を発生させるレギュレータとを有し、 前記レギュレータの出力段に少なくとも二つの電圧フォロア回路が併設され且つ、これらの電圧フォロア回路から得られる二つのバイアス電圧が、複数のクランプ用トランジスタ列の異なるグループに振り分けられて供給される ことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (1件)：
G11C 16/06 ( 200 6.01)
FI (1件)：
G11C 17/00 634 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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