特許
J-GLOBAL ID：201103012612951405
電界効果トランジスタを含む半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260981
特許番号：特許第3309905号
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 共通の半導体基体(3)に基づいて形成された第1の半導体素子(1)と第2の半導体素子(2)とを含み、前記第1の半導体素子(1)は絶縁ゲート型電界効果トランジスタである半導体装置であって、前記半導体基体(3)は、第1導電形のサブストレート領域(11)と、第1導電形と反対の第2導電形の第1及び第2のドレイン領域(12、13)と、第1導電形のチャネル形成領域(14)と、第2導電形のソース領域(15)と、第2導電形の埋め込み領域(31又は31a又は31b)と、前記第2の半導体素子(2)のための半導体領域(16)とを有し、前記サブストレート領域(11)は前記第1及び第2の半導体素子(1、2)の共通のサブストレートであり、前記第1のドレイン領域(12)は前記サブストレート領域(11)の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記半導体基体(3)の一方の主面に露出する部分を有し且つ前記サブストレート領域(11)に隣接する部分を有するように配置され、前記第2のドレイン領域(13)は前記第1のドレイン領域(12)の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記半導体基体(3)の一方の主面に露出するように配置され且つ前記第1のドレイン領域(12)の中に島状に配置され且つ平面的に見て前記第1のドレイン領域(12)の中央部分に配置され、前記チャネル形成領域(14)は前記半導体基体(3)の一方の主面に露出する部分を有し且つ前記第2のドレイン領域(13)から離間して前記第1のドレイン領域(12)に隣接するように配置され、前記ソース領域(15)は前記チャネル形成領域(14)の中に島状に配置され且つ平面的に見て前記チャネル形成領域(14)を介して前記第1のドレイン領域(12)を囲むように配置され、前記埋め込み領域(31)は、前記第1のドレイン領域(12)の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記サブストレート領域(11)と前記第1のドレイン領域(12)との間に配置され且つ前記第1のドレイン領域(12)を介して前記第2のドレイン領域(13)に対向する部分を有し、且つ前記ドレイン電極(4)と前記ソース電極(5)との間に定格電圧が印加されると共に前記ゲート電極(7)に電圧が印加されて前記ドレイン電極(4)と前記ソース電極(5)との間に電流が流れている時に前記サブストレート領域(11)と前記埋め込み領域(31)との間のPN接合(32)に基づいて生じる空乏層の前記第1のドレイン領域側への広がりを、前記埋め込み領域(31)と前記第1のドレイン領域(12)との境界又はこの近傍に制限するように形成され、前記第2のドレイン領域(13)にドレイン電極(4)が接続され、前記ソース領域(15)にソース電極(5)が接続され、前記半導体基体(3)の一方の主面の前記ソース領域(15)と前記第1のドレイン領域(12)との間を覆うようにゲート絶縁膜(6)が設けられ、前記ゲート絶縁膜(6)の上にゲート電極(7)が配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 29/78
, H01L 29/78 656
H01L 29/78 656 B
, H01L 27/08 102 B
, H01L 29/78 301 W
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-242199
出願人：サンケン電気株式会社
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