特許
J-GLOBAL ID：201103012865327430
ファストリカバリーダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 砂川 克
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-250670
公開番号（公開出願番号）：特開2011-109090
出願日： 2010年11月09日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：
【課題】ファストリカバリーダイオードの構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】カソード側23およびカソード側23と反対のアノード側24を備えた第1の導電型のベース層2を具備するファストリカバリーダイオード1において、第1の深さおよび第1の最大のドーピング濃度を備えた第2の導電型のアノードバッファ層41が、アノード側24に配置される。さらに、第1の深さより深い第2の深さおよび第1の最大のドーピング濃度より高い第2の最大のドーピング濃度を備えた第2の導電型のアノードコンタクト層42が、アノード側24に配置される。ブレークダウン電圧においてアノード接合の空間電荷領域は、第1および第2の深さの間の第3の深さに置かれる。第2および第3の深さの間には、欠陥ピークを備えて配置された欠陥層43がある。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
カソード側(23)および前記カソード側(23)と反対のアノード側(24)を備えた第1の導電型のベース層(2)と、
IPC (2件)：
H01L 29/861
, H01L 21/329
H01L29/91 J
, H01L29/91 B
