特許
J-GLOBAL ID：200903096969202347
ダイオードと、製造方法と、逆回復電流の抑制方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-060810
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242765
出願日： 2006年03月07日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】逆回復電流を抑制するのと、ダイナミックアバランシェ現象を抑制して耐圧を向上するのを同時に達成するダイオードを提供する。【解決手段】アノード領域2と中間領域3とカソード領域4を備えており、中間領域3は空乏領域が伸びる範囲K3よりも厚く、空乏領域が形成されない領域内に結晶欠陥領域Mが形成されている。空乏領域は、結晶欠陥領域Mが形成されていない中間領域3を伸び、耐圧を確保するのに必要な空乏領域の厚みが確保される。正孔と電子は、空乏領域が形成されない領域内に形成されている結晶欠陥領域Mで再結合するために、逆回復電流も抑えられる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1導電型不純物を高濃度に含むアノード領域と、第2導電型不純物を低濃度に含む中間領域と、第2導電型不純物を高濃度に含むカソード領域がその順序で隣接しているダイオードであり、
中間領域は、アノード領域とカソード領域の間に逆方向の定格電圧が印加された時にアノード領域と中間領域の界面から伸びる空乏領域の厚みよりも厚く形成されており、
中間領域内の前記空乏領域が伸びない領域内に、第1結晶欠陥領域が形成されていることを特徴とするダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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