特許

J-GLOBAL ID：201103012869561047

薄膜半導体素子の製造方法

発明者： 倉増 敬三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107883
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299467
特許番号：特許第3279280号
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 透明絶縁性基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜にレーザを照射して多結晶化を行い多結晶シリコン膜を形成する工程と、レーザ照射後大気中に露出せずに直ちに保護膜を形成する工程と、フォトリソとエッチングプロセスにより前記保護膜と前記多結晶シリコン膜を同一のパターン形状にエッチング加工する工程と、前記保護膜を真空中でエッチング除去する工程と、その後大気中に暴露することなく連続してゲート絶縁膜を形成する工程を少なくとも有する薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 B ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-292741
  
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-219314   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所