半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219314
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051005
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【目的】汚染防止により信頼性の高い半導体装置およびその作製方法を提供する。【構成】ガラス基板101上に形成された結晶性珪素膜104に対して、パターニング前に予め熱酸化処理を施しておく。そして、そのままパターニング工程を経て島状半導体層105を形成する。そのため、パターニング工程の間も島状半導体層105の主表面は熱酸化膜106が保護しているので、外部環境からの汚染を防ぐことが可能である。

請求項（抜粋）：

絶縁性を有する基板上に形成された活性層と、前記活性層を覆うゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、を少なくとも有する半導体装置において、前記ゲイト絶縁膜は少なくともその一部に前記活性層を熱酸化して得られる熱酸化膜を有し、前記熱酸化膜は前記活性層の主表面のみに接して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-264588 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331864 出願人：ソニー株式会社
液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-285045 出願人：三洋電機株式会社

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