特許
J-GLOBAL ID：201103013485809749
半導体モジュールおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-244497
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091259
出願日： 2009年10月23日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
【課題】絶縁層の一面上にリードフレームを設け、そのリードフレームに回路素子を搭載し、絶縁層の他面を露出させるように、これらを樹脂でモールドしてなる半導体モジュールにおいて、当該半導体モジュールを絶縁層の他面側にて、グリースを介して筐体に接続する際に、より低い荷重でグリースを薄くできるようにする。【解決手段】樹脂40から露出する絶縁層10の他面のうちリードフレーム(20)の素子搭載部21と同じ位置には、回路素子30、31の熱を放熱するための凸部11、51が設けられており、絶縁層10の他面において凸部11、51の周囲が凸部11、51よりも凹んだ凹部12、52とされている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電気絶縁性且つ熱伝導性を有する絶縁層(10)と、
前記絶縁層(10)の一面に設けられた金属製のリードフレーム(20)とを備え、
前記リードフレーム(20)は、発熱する回路素子(30、31)を搭載する素子搭載部(21)を含む形状にパターニングされたものであり、
前記素子搭載部(21)に前記回路素子(30、31)が搭載されており、
前記絶縁層(10)の一面側では、前記リードフレーム(20)および前記回路素子(30、31)が樹脂(40)によって封止されており、
前記絶縁層(10)の他面側は前記樹脂(40)より露出し当該他面側にて放熱を行うようにした半導体モジュールにおいて、
前記絶縁層(10)の他面のうち前記素子搭載部(21)と同じ位置には、前記回路素子(30、31)の熱を放熱するための凸部(11、51)が設けられており、前記絶縁層(10)の他面において前記凸部(11、51)の周囲が前記凸部(11、51)よりも凹んだ凹部(12、52)とされていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 J
, H01L23/36 C
5F136BB04
, 5F136DA27
, 5F136FA03
, 5F136FA12
, 5F136FA63
