特許
J-GLOBAL ID：200903056408023417

半導体モジュールおよびその製造方法

発明者：
岡本 健次

岡本 健次 について


出願人/特許権者：
富士電機機器制御株式会社

富士電機機器制御株式会社 について


代理人 (1件)： 森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-246061
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066559
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 コスト上昇を抑えつつ放熱特性を向上させた半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 パワー半導体2または駆動IC3等の回路素子をボンディングワイヤ4,5によりリードフレーム1の回路パターンに接続して成形樹脂6で覆い、この成形樹脂6の反対面に、コア材の表面を覆う被服材が相互に溶着してなる絶縁層7を形成した半導体モジュール100とした。また、コア材の表面に被服剤が皮膜されてなる溶射材料粉末をプラズマ溶射法により溶射堆積させて絶縁層7を形成する半導体モジュール100の製造方法とした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
1または複数の回路素子を搭載し、樹脂によって封止され、形成された半導体モジュールにおいて、 回路素子を搭載するための回路パターンが形成されたリードフレームと、 回路素子およびリードフレームを覆うように一方の面に設けられる成形樹脂と、 成形樹脂およびリードフレームを覆うように他方の面に設けられる絶縁層と、 を備え、 前記絶縁層は、コア材の表面を覆う被服材が相互に溶着して形成された層であることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/29
FI (2件)：
H01L23/36 Z ,  H01L23/36 A
Fターム (6件)：
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC06 ,  5F036BD11 ,  5F036BE01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
  • 特開平2-306654
  • 特開平4-209767
  • 半導体素子パツケージ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211634   出願人：日立電線株式会社
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