特許

J-GLOBAL ID：201103013517671639

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 杉崎 吉昭 ,  小島 章弘 ,  小幡 進
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-220434
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071272
出願日： 2009年09月25日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】適切な色調を得ることができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光装置は、半導体層13と、発光層を含む半導体層14とを積層した構造の発光素子15と、発光素子15の光取り出し面12に対向して設けられた蛍光体層61と、光取り出し面12の反対側に設けられた配線層と、発光素子15の側面13aに設けられ、発光層が発する光に対して不透明な遮光材35とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光層を含む半導体層であって、第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有する半導体層と、 前記第1の主面に対向して設けられた蛍光体層と、 前記第2の主面側に設けられ、導体と絶縁体とを有する配線層と、 前記半導体層の側面に設けられ、前記発光層が発する光に対して不透明な遮光材と、 を備えたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/50

FI (1件)：

H01L33/00 410

Fターム (7件)：

5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA20 ,  5F041DA34 ,  5F041DA43 ,  5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 波長変換型半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-040876   出願人：スタンレー電気株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-109819   出願人：日亜化学工業株式会社