特許
J-GLOBAL ID：201103014042706781
IV-VI族の半導体コア-シェルナノ結晶を備える光起電力セル
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高岡 亮一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-537600
公開番号（公開出願番号）：特表2011-518421
出願日： 2008年12月14日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
本発明は、光活性成分としてIV-VI族の半導体ナノ結晶を備える光起電力セルに関する。具体的には、これらのナノ結晶は、それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第1のIV-VI族の半導体材料のコアと、第2のIV-VI族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェルまたは前記第1のIV-VI族の半導体材料と第2のIV-VI族の半導体材料との合金から構成されるコアを被覆する合金シェルのいずれとをそれぞれ含むコア-シェル構造またはコア-合金シェル構造のものである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
光活性成分としてIV-VI族の半導体ナノ結晶を備える光起電力セルであって、前記ナノ結晶が、
(i)それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第1のIV-VI族の半導体材料のコアおよび第2のIV-VI族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェルを備えるコア-シェル半導体ナノ結晶、あるいは、
(ii)それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第1のIV-VI族の半導体材料のコアおよび前記第1のIV-VI族の半導体材料と第2のIV-VI族の半導体材料との合金から構成されるコアを被覆するシェルを備えるコア-合金シェル半導体ナノ結晶、
のいずれかである光起電力セル。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
引用文献：
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