特許
J-GLOBAL ID：201103014391043544

電子写真感光体および電子写真装置

発明者：
秋山 和敬

秋山 和敬 について

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小澤 智仁

小澤 智仁 について

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田澤 大介

田澤 大介 について

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西村 悠

西村 悠 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (8件)： 岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  齋藤 正巳 ,  木村 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-253635
公開番号（公開出願番号）：特開2011-133863
出願日： 2010年11月12日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】耐久性向上と高湿流れ抑制を高次元で両立し、圧傷、膜剥がれリスクを低減した電子写真感光体を提供する。【解決手段】光導電層12、中間層13と表面層11を有する電子写真感光体10で、表面層はケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C):C2)が0.61以上0.75以下、かつケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和(D2)が6.60×1022原子/cm3以上で、中間層はケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C):C1)とケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和(D1)がそれぞれC2とD2を超えない範囲で光導電層側から表面層側に向かって連続的に増加し、C1が0.25以上C2以下を満たす領域を層厚方向に150nm以上有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光導電層と、光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された中間層と、中間層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する電子写真感光体において、 該表面層におけるケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C):C2)が0.61以上0.75以下であり、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和(D2)が6.60×1022原子/cm3以上であり、 該中間層におけるケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C):C1)と、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和(D1)が、それぞれC2とD2を超えない範囲で該光導電層側から該表面層側に向かって連続的に増加し、 該中間層が、C1が0.25以上C2以下かつD1が5.50×1022原子/cm3以上6.45×1022原子/cm3以下を満たす領域を、該中間層の層厚方向に150nm以上有する ことを特徴とする電子写真感光体。
IPC (1件)：
G03G 5/08
FI (2件)：
G03G5/08 333 ,  G03G5/08 303
Fターム (5件)：
2H068DA05 ,  2H068DA17 ,  2H068DA55 ,  2H068DA65 ,  2H068DA67
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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