光変調器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願昭63-027461
公開番号（公開出願番号）：特開平1-204018
特許番号：特許第2513265号
出願日： 1988年02月10日
公開日（公表日）： 1989年08月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】n側電極の上にn型InPの基板、SiをドープしたInPによるn-コンタクト層、SiをドープしたInPによるn-クラッド層、ノンドープInPのバリア層とノンドープIn0.43Ga0.57Asのウェル層を交互に積層した多重量子井戸構造からなる光制御層、MgをドープしたInPによるp-クラッド層、Znをドープしたp-InGaAsPのコンタクト層、及び、p側電極をこの順序で積層し、ノンドープIn0.43Ga0.57Asのウェル層の格子定数をノンドープInPのバリア層の格子定数よりも小さくしたことを特徴とする光変調器。

IPC (1件)：