特許
J-GLOBAL ID：201103014703893753
樹脂封止型半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351308
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168262
特許番号：特許第3915354号
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向して配置し末端がフレーム枠と接続した複数のリード部と、前記リード部のフレーム枠近傍に設けられた切断部と、前記切断部近傍に樹脂を供給する開口部とを1ユニットとして、そのユニットを複数有し、前記ユニット間に封止樹脂を供給するランナー部を有したリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する工程と、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも前記半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、前記リードフレームの前記開口部に前記樹脂を充填し、前記切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程と、ブレードにより前記リード部を切断しつつ、前記切断部近傍に形成した樹脂による接続部の一部は切断せずに残存させ、前記接続部により前記各ユニットを接続する工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/50 ( 200 6.01)
, H01L 21/56 ( 200 6.01)
H01L 23/50 B
, H01L 21/56 T
